微型化已經(jīng)成為印刷線路板和電子封裝材料發(fā)展的主要方向之一，其中聚合物基電子封裝材料在電子器件封裝應(yīng)用中具有廣闊前景。為了滿足線路板和器件日益增大的導(dǎo)熱(散熱)需求，需考慮讓電介質(zhì)材料具有較大的熱導(dǎo)率，目前在聚酰亞胺薄膜中填充氮化鋁(A1N)或碳化硅(SiC)以提高材料的導(dǎo)熱性能，逐漸成為研究熱點(diǎn)。

采用KH550偶聯(lián)劑對(duì)氮化鋁粒子表面進(jìn)行物化處理，提高有機(jī)一無機(jī)兩相界面的結(jié)合力，然后使用原位聚合將納米氮化鋁加入到聚酰亞胺中，納米氮化鋁含量為13％時(shí)，納米復(fù)合薄膜的導(dǎo)熱系數(shù)由純PI膜的0．16 w／(m·K)提高至0．26W／(m·K)。

公開了一種高導(dǎo)熱聚酰亞胺薄膜的制備方法，使用表面經(jīng)偶聯(lián)劑處理后的氮化鋁或碳化硅改性傳統(tǒng)的聚酰胺酸樹脂，再流延至不銹鋼帶上，經(jīng)高溫干燥后獲得高導(dǎo)熱低熱膨脹系數(shù)的PI膜，其導(dǎo)熱系數(shù)達(dá)到0．61 w／(m·K)以上，而熱膨脹系數(shù)在30 ppm／K以下。

傳統(tǒng)的聚酰亞胺薄膜導(dǎo)熱系數(shù)僅為0．16 w／(m·K)左右，應(yīng)用于微電子的高密度和高速化運(yùn)行時(shí)容易出現(xiàn)電路過熱，影響元器件和集成電路的穩(wěn)定性，高導(dǎo)熱PI膜是順應(yīng)市場需求而產(chǎn)生的產(chǎn)品，其制備工藝和原理與耐電暈PI膜類似，都是將具有特殊功能的納米填料摻雜人到聚酰胺酸樹脂中，再高溫亞胺化成膜，使得薄膜具有相應(yīng)的功能。同樣，高導(dǎo)熱PI膜所需要解決的問題也是如何將納米填料均勻分散在樹脂體系中。

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